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参数资料
| 型号： | IDT70T659S12BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T659S12BCI |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Truth Table I—Read/Write and Enable Control (1,2)
Byte 3
Byte 2
Byte 1
Byte 0
OE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
H
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
CE 0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
CE 1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
BE 3
X
X
H
H
H
H
L
H
L
L
H
H
H
L
H
L
L
L
X
BE 2
X
X
H
H
H
L
H
H
L
L
H
H
L
H
H
L
L
L
X
BE 1
X
X
H
H
L
H
H
L
H
L
H
L
H
H
L
H
L
L
X
BE 0
X
X
H
L
H
H
H
L
H
L
L
H
H
H
L
H
L
L
X
R/ W
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
X
X
ZZ
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
I/O 27-35
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
D IN
D IN
High-Z
High-Z
High-Z
D OUT
High-Z
D OUT
D OUT
High-Z
High-Z
I/O 18-26
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
High-Z
D IN
D IN
High-Z
High-Z
D OUT
High-Z
High-Z
D OUT
D OUT
High-Z
High-Z
I/O 9-17
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
D IN
High-Z
D OUT
High-Z
High-Z
D OUT
High-Z
D OUT
High-Z
High-Z
I/O 0-8
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
D IN
D OUT
High-Z
High-Z
High-Z
D OUT
High-Z
D OUT
High-Z
High-Z
MODE
Deselected–Power Down
Deselected–Power Down
All Bytes Deselected
Write to Byte 0 Only
Write to Byte 1 Only
Write to Byte 2 Only
Write to Byte 3 Only
Write to Lower 2 Bytes Only
Write to Upper 2 bytes Only
Write to All Bytes
Read Byte 0 Only
Read Byte 1 Only
Read Byte 2 Only
Read Byte 3 Only
Read Lower 2 Bytes Only
Read Upper 2 Bytes Only
Read All Bytes
Outputs Disabled
High-Z Sleep Mode
NOTES:
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
2. It is possible to read or write any combination of bytes during a given access. A few representative samples have been illustrated here.
Truth Table II – Semaphore Read/Write Control (1)
5632 tbl 02
Inputs (1)
Outputs
CE (2)
H
H
L
R/ W
H
↑
X
OE
L
X
X
BE 3
L
X
X
BE 2
L
X
X
BE 1
L
X
X
BE 0
L
L
X
SEM
L
L
L
I/O 1-35
DATA OUT
X
______
I/O 0
DATA OUT
DATA IN
______
Mode
Read Data in Semaphore Flag (3)
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
NOTES:
1. There are eight semaphore flags written to I/O 0 and read from all the I/Os (I/O 0 -I/O 35 ). These eight semaphore flags are addressed by A 0 -A 2 .
2. CE = L occurs when CE 0 = V IL and CE 1 = V IH . CE = H when CE 0 = V IH and/or CE 1 = V IL .
3. Each byte is controlled by the respective BE n. To read data BE n = V IL .
7
5632 tbl 03
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70T659S12BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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