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参数资料
| 型号： | IDT70T659S12BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 16/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T659S12BCI |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Semaphore Read after Write Timing, Either Side (1)
t SAA
A 0 -A 2
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
DATA OUT (2)
SEM (1)
I/O
t AW
t WR
t EW
t DW
DATA IN VALID
t SOP
t ACE
t OH
VALID
R/ W
t AS
t WP
t DH
OE
t SWRD
t SOP
t SOE
Write Cycle
Read Cycle
5632 drw 12
.
NOTES:
1. CE 0 = V IH and CE 1 = V IL are required for the duration of both the write cycle and the read cycle waveforms shown above. Refer to Truth Table II for details and for
appropriate BE n controls.
2. "DATA OUT VALID" represents all I/O's (I/O 0 - I/O 35 ) equal to the semaphore value.
Timing Waveform of Semaphore Write Contention (1,3,4)
A 0"A" -A 2"A"
MATCH
SIDE
SIDE
(2)
(2)
"A"
"B"
R/ W "A"
SEM "A"
A 0"B" -A 2"B"
R/ W "B"
SEM "B"
t SPS
MATCH
5632 drw 13 .
NOTES:
1. D OR = D OL = V IL , CE L = CE R = V IH . Refer to Truth Table II for appropriate BE controls.
2. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either left or right port. "B" is the opposite from port "A".
3. This parameter is measured from R/ W "A" or SEM "A" going HIGH to R/ W "B" or SEM "B" going HIGH.
4. If t SPS is not satisfied,the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
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PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T631S12BCI | IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T659S12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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