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参数资料
| 型号： | IDT70T659S12BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T659S12BCI |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Names
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Left Port
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
Right Port
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
Names
Chip Enables (Input)
Read/Write Enable (Input)
Output Enable (Input)
A 0R - A 17R
A 0L - A 17L
(1)
(1)
Address (Input)
I/O 0L - I/O 35L
SEM L
INT L
BUSY L
BE 0L - BE 3L
V DDQL
OPT L
ZZ L
I/O 0R - I/O 35R
SEM R
INT R
BUSY R
BE 0R - BE 3R
V DDQR
OPT R
ZZ R
M/ S
Data Input/Output
Semaphore Enable (Input)
Interrupt Flag (Output)
Busy Flag (Output)
Byte Enables (9-bit bytes) (Input)
Power (I/O Bus) (3.3V or 2.5V) (2) (Input)
Option for selecting V DDQX (2,3) (Input)
Sleep Mode Pin (4) (Input)
Master or Slave Select (Input) (5)
V DD
V SS
TDI
TDO
TCK
TMS
TRST
Power (2.5V) (2) (Input)
Ground (0V) (Input)
Test Data Input
Test Data Output
Test Logic Clock (10MHz) (Input)
Test Mode Select (Input)
Reset (Initialize TAP Controller) (Input)
5632 tbl 01
6
NOTES:
1. Address A 17 x is a NC for IDT70T659.
2. V DD , OPT X , and V DDQX must be set to appropriate operating levels prior to
applying inputs on I/O X .
3. OPT X selects the operating voltage levels for the I/Os and controls on that port.
If OPT X is set to V DD (2.5V), then that port's I/Os and controls will operate at 3.3V
levels and V DDQX must be supplied at 3.3V. If OPT X is set to V SS (0V), then that
port's I/Os and controls will operate at 2.5V levels and V DDQX must be supplied
at 2.5V. The OPT pins are independent of one another—both ports can operate
at 3.3V levels, both can operate at 2.5V levels, or either can operate at 3.3V
with the other at 2.5V.
4. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when
asserted. OPTx, INT x, M/ S and the sleep mode pins themselves (ZZx) are
not affected during sleep mode. It is recommended that boundry scan not be
operated during sleep mode.
5. BUSY is an input as a Slave (M/ S =V IL ) and an output when it is a Master
(M/ S =V IH ).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T631S12BCI | IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA |
| IDT70T3519S133BF8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA |
| IDT70T3519S133BC8 | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA |
| IDT70T651S12BF8 | IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA |
| IDT70T651S12BC8 | IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T659S12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S12BFI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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