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参数资料
| 型号： | IDT70V05L55G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V05L55G |
IDT70V05S/L
High-Speed 3.3V 8K x 8 Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
ADDR "A"
(2)
INTERRUPT SET ADDRESS
t WR
t AS
(3)
(4)
t INS
CE "A"
R/ W "A"
(3)
INT "B"
2941 drw 16
t RC
ADDR "B"
t AS
(3)
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(2)
t INR
CE "B"
OE "B"
(3)
INT "B"
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from “A”.
2. See Interrupt Truth Table III.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
17
6.42
2941 drw 17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V06L55G | IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA |
| IDT70V07L35G | IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA |
| IDT70V08S15PF | IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70V09L20PFI | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V18L20PFI | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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