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参数资料
| 型号： | IDT70V05L55G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V05L55G |
IDT70V05S/L
High-Speed 3.3V 8K x 8 Dual-Port Static RAM
Description
The IDT70V05 is a high-speed 8K x 8 Dual-Port Static RAM. The
IDT70V05 is designed to be used as a stand-alone 64K-bit Dual-Port
SRAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port SRAM for 16-bit-
or-more word systems. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port SRAM
approach in 16-bit or wider memory system applications results in full-
speed, error-free operation without the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
Pin Configurations (1,2,3)
12/03/01
INDEX
Industrial and Commercial Temperature Ranges
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by CE permits the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 400mW of power.
The IDT70V05 is packaged in a ceramic 68-pin PGA and PLCC
and a 64-pin thin quad flatpack (TQFP).
9 8 7
6
5 4 3
2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I/O 2L
I/O 3L
I/O 4L
I/O 5L
V SS
10
11
12
13
14
60
59
58
57
56
A 5L
A 4L
A 3L
A 2L
A 1L
I/O 6L
I/O 7L
V DD
V SS
15
16
17
18
IDT70V05J
J68-1 (4)
68-Pin PLCC
Top View (5)
55
54
53
52
A 0L
INT L
BUSY L
V SS
I/O 0R
I/O 1R
I/O 2R
V DD
I/O 3R
I/O 4R
I/O 5R
19
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21
22
23
24
25
51
50
49
48
47
46
45
M/ S
BUSY R
INT R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
,
I/O 6R
26 44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A 4R
2941 drw 02
12/03/01
INDEX
I/O 2L
I/O 3L
I/O 4L
I/O 5L
V SS
1
2
3
4
5
48
47
46
45
44
A 4L
A 3L
A 2L
A 1L
A 0L
NOTES:
1. All V CC pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground supply.
3. J68-1 package body is approximately .95 in x .95 in x .17 in.
I/O 6L
I/O 7L
V DD
V SS
I/O 0R
I/O 1R
I/O 2R
V DD
I/O 3R
I/O 4R
I/O 5R
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
70V05PF
PN-64 (4)
64-Pin TQFP
Top View (5)
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
INT L
BUSY L
V SS
M/ S
BUSY R
INT R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
A 4R
,
PN64 package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate oriention of the actual part-marking
6.42
2941 drw 03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IDT70V07L35G | IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA |
| IDT70V08S15PF | IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70V09L20PFI | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT70V05L55PF | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V05L55PF8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT70V05S15J | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 15NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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