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参数资料
| 型号： | IDT70V08S15PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V08S15PF |
IDT70V08S/L
High-Speed 3.3.V 64K x 8 Dual-Port Static RAM
Description
The IDT70V08 is a high-speed 64K x 8 Dual-Port Static RAM. The
IDT70V08 is designed to be used as a stand-alone 512K-bit Dual-Port
RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 16-bit-
or-more word system. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port
RAM approach in 16-bit or wider memory system applications results
in full-speed, error-free operation without the need for additional
discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access
Pin Configurations (1,2,3)
11/26/01
Index
Industrial and Commercial Temperature Ranges
for reads or writes to any location in memory. An automatic power
down feature controlled by the chip enables (either CE 0 or CE 1 )
permit the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby
power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology,
these devices typically operate on only 550mW of power.
The IDT70V08 is packaged in a 100-pin Thin Quad Flatpack
(TQFP).
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NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
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NC
NC
A 7L
A 8L
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A 10L
A 11L
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NC
A 7R
A 8R
A 9R
A 10R
A 11R
A 12R
A 13R
A 14R
A 15L
NC
V DD
NC
NC
NC
NC
CE 0L
CE 1L
SEM L
R/ W L
OE L
Vss
NC
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IDT70V08PF
PN100-1 (4)
100-Pin TQFP
Top View (5)
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A 15R
NC
Vss
NC
NC
NC
NC
CE 0R
CE 1R
SEM R ,
R/ W R
OE R
Vss
Vss
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NC
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NC
3740 drw 02
NOTES:
1. All Vcc pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground.
3. Package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V08S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S25PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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