- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70V08S15PF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V08S15PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V08S15PF |
IDT70V08S/L
High-Speed 3.3V 64K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V08S
70V08L
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = 3.6V, V IN = 0V to V DD
CE (2) = V IH , V OUT = 0V to V DD
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTES:
1. At V DD < 2.0V, input leakages are undefined.
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1,6) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V08X15
70V08X20
3740 tbl 09
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Com'l Only
Typ. (2) Max
Com'l & Ind
Typ. (2) Max
Unit
I DD
Dynamic Operating Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
170
170
____
260
225
____
165
165
____
255
220
____
mA
L
____
____
165
280
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE L = CE R = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
44
44
____
70
60
____
39
39
____
60
50
____
mA
L
____
____
39
65
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
COM'L
IND
S
L
S
115
115
____
160
145
____
105
105
____
155
140
____
mA
L
____
____
105
155
I SB3
Full Standby Current (Both
Ports - All CMOS Level
Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V DD - 0.2V
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
COM'L
IND
S
L
S
1.0
0.2
____
6
3
____
1.0
0.2
____
6
3
____
mA
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
L
____
____
0.2
6
I SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS Level
Inputs)
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DD - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
COM'L
S
L
115
115
155
140
105
105
150
135
mA
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f = f MAX (3)
IND
S
L
____
____
____
____
____
105
____
150
NOTES:
3740 tbl 10a
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L)
2. V DD = 3.3V, T A = +25°C, and are not production tested. I DD DC = 90mA (Typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC, and using “AC Test Conditions" of input levels of GND
to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V09L20PFI | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V18L20PFI | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V25L55G | IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA |
| IDT70V261L25PFGI | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70V26L35G | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V08S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S20PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S25PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。