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参数资料
| 型号： | IDT70V08S15PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V08S15PF |
IDT70V08S/L
High-Speed 3.3.V 64K x 8 Dual-Port Static RAM
Truth Table I – Chip Enable (1,2)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
X
CE
L
H
CE 0
V IL
< 0.2V
V IH
X
>V CC -0.2V
(3)
CE 1
V IH
>V CC -0.2V
X
V IL
X (3)
<0.2V
Port Selected (TTL Active)
Port Selected (CMOS Active)
Port Deselected (TTL Inactive)
Port Deselected (TTL Inactive)
Port Deselected (CMOS Inactive)
Port Deselected (CMOS Inactive)
Mode
3740 tbl 06
NOTES:
1. Chip Enable references are shown above with the actual CE 0 and CE 1 levels; CE is a reference only.
2. 'H' = V IH and 'L' = V IL .
3. CMOS standby requires 'X' to be either < 0.2V or >V CC -0.2V.
Truth Table II – Non-Contention Read/Write Control
Inputs (1)
Outputs
CE
(2)
H
L
L
X
R/ W
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
I/O 0-7
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
Deselected: Power-Down
Write to Memory
Read Memory
Outputs Disabled
Mode
NOTES:
1. A 0L — A 15L ≠ A 0R — A 15R
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
Truth Table III – Semaphore Read/Write Control (1)
3740 tbl 07
Inputs (1)
Outputs
CE
(2)
H
H
L
R/ W
H
↑
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
I/O 0-7
DATA OUT
DATA IN
______
Read Semaphore Flag Data Out
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
Mode
NOTES:
1. There are eight semaphore flags written to I/O 0 and read from all the I/Os (I/O 0 -I/O 7 ). These eight semaphore flags are addressed by A 0 -A 2 .
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
4
3740 tbl 08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V09L20PFI | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V18L20PFI | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V08S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S20PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S25PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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