参数资料
型号: IDT70V261L25PFGI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 11/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
标准包装: 45
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K(16K x 16)
速度: 25ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 70V261L25PFGI
IDT70V261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt
Timing Waveform of Write with BUSY
t WP
R/ W "A"
t WB
Industrial and Commercial Temperature Ranges
BUSY "B"
R/ W "B"
(2)
t WH (1)
3040 drw 12
NOTES:
1. t WH must be met for both BUSY input (SLAVE) and output (MASTER).
2. BUSY is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (1)
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS (2)
t BAC
ADDRESSES MATCH
t BDC
BUSY "B"
3040 drw 13
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by
Address Match Timing (1)
ADDR "A"
ADDR "B"
t APS
(2)
ADDRESS "N"
MATCHING ADDRESS "N"
t BAA
t BDA
BUSY "B"
3040 drw 14
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
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6.42
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IDT70V261L35PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF