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参数资料
| 型号： | IDT70V261L25PFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V261L25PFGI |
IDT70V261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Semaphore Read after Write Timing, Either Side (1)
t SAA
t OH
A 0 -A 2
VALID ADDRESS
VALID ADDRESS
SEM
t AW
t EW
t WR
t SOP
t AC E
t DW
I/O 0
DATA IN
VALID
DATA OUT
VALID (2)
R/ W
OE
t AS
t WP
Write Cycle
t DH
t SWRD
Read Cycle
t AOE
3040 drw 09
NOTES:
1. CE = V IH or UB & LB = V IH for the duration of the above timing (both write and read cycle).
2. “DATA OUT VALID” represents all I/O's (I/O 0 -I/O 15 ) equal to the semaphore value.
Timing Waveform of Semaphore Write Contention (1,3,4)
A 0"A" -A 2"A"
MATCH
SIDE
(2)
SIDE
(2)
"A"
"B"
R/ W "A"
SEM "A"
A 0"B" -A 2"B"
R/ W "B"
SEM "B"
MATCH
t SPS
3040 drw 10
NOTES:
1. D OR = D OL = V IL , CE R = CE L = V IH , or both UB & LB = V IH .
2. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
3. This parameter is measured from R/ W "A" or SEM "A" going HIGH to R/ W "B" or SEM "B" going HIGH.
4. If t SPS is not satisfied, the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will obtain the flag.
9
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V261L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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