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参数资料
| 型号： | IDT70V261L25PFGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V261L25PFGI |
IDT70V261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
& Industrial
V TERM (2) Terminal Voltage -0.5 to +4.6
with Respect
to GND
Unit
V
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1)
Grade GND Vcc
Ambient Temperature
Commercial 0 O C to +70 O C 0V 3.3V + 0.3
Industrial -40 C to +85 C 0V 3.3V + 0.3
NOTES:
T BIAS
T STG
Temperature
Under Bias
Storage
Temperature
-55 to +125
-65 to +150
o
o
C
C
O O
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
3040 tbl 05
I OUT
DC Output
Current
50
mA
3040 tbl 04
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
Recommended DC Operating
Conditions (2)
Symbol Parameter Min. Typ. Max.
Unit
V CC +0.3
2. V TERM mustnotexceedVcc+0.3Vformorethan25%ofthecycletimeor10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > Vcc + 0.3V.
V CC
GND
V IH
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
3.0
0
2.2
3.3
0
____
3.6
0
(2)
V
V
V
V IL
Input Low Voltage
-0.3
Capacitance (1) (T A =+25°C, f =1.0MHz)
Symbol Parameter Conditions (2) Max. Unit
C IN Input Capacitance V IN = 3dV 9 pF
(1)
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed Vcc + 0.3V.
____
0.8
V
3040 tbl 06
C OUT
Output Capacitance
V OUT = 3dV
10
pF
NOTES:
3040 tbl 07
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested. TQFP package only.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 3.3V ± 0.3v)
70V261S
70V261L
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 3.6V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V CC = 2.0V, input leakages are undefined.
6.42
3040 tbl 08
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PDF描述 |
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| IDT70V261L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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