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参数资料
| 型号： | IDT70V3579S6BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（32K x 36） |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3579S6BF8 |
IDT70V3579S
High-Speed 32K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Datasheet Document History (cont'd)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
4/10/01:
Added Industrial Temperature Ranges and removed related notes
7/19/01:
Page 3
Replaced incorrect BGA package drawing
12/12/01:
02/07/06:
07/25/08:
10/23/08:
Page 2, 3 & 4 Added date revision to pin configurations
Page 6 Removed industrial temp footnote from table 04
Page 8 & 10 Removed industrial temp for 6ns from DC & AC Electrical Characteristics
Page 16 Removed industrial temp from 6ns in ordering information
Added industrial temp footnote
Page 1 & 17 Replaced TM logo with ? logo
Page 1 Added green availability to features
Page 5 Changed footnote 2 for Truth Table I from ADS , CNTEN , CNTRST = V IH to ADS , CNTEN , CNTRST = X
Page 16 Added green indicator to ordering information
Page 8 Corrected a typo in the DC Chars table
Page 16 Removed "IDT" from orderable part number
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www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
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参数描述 |
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| IDT70V3589S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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