参数资料
型号: IDT70V3579S6BF8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 4/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 1.125M(32K x 36)
速度: 6ns
接口: 并联
电源电压: 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 208-LFBGA
供应商设备封装: 208-CABGA(15x15)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70V3579S6BF8
IDT70V3579S
High-Speed 32K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Pin Configuration (1,2,3,4) (con't.)
12/12/01
Industrial and Commercial Temperature Ranges
I/O 19L
I/O 19R
I/O 20L
I/O 20R
V DDQL
V SS
I/O 21L
1
2
3
4
5
6
7
156
155
154
153
152
151
150
I/O 16L
I/O 16R
I/O 15L
I/O 15R
V SS
V DDQL
I/O 14L
I/O 21R
I/O 22L
I/O 22R
V DDQR
V SS
I/O 23L
I/O 23R
I/O 24L
I/O 24R
V DDQL
V SS
I/O 25L
I/O 25R
I/O 26L
I/O 26R
V DDQR
V SS
V DD
V DD
V SS
V SS
V DDQL
V SS
I/O 27R
I/O 27L
I/O 28R
I/O 28L
V DDQR
V SS
I/O 29R
I/O 29L
I/O 30R
I/O 30L
V DDQL
V SS
I/O 31R
I/O 31L
I/O 32R
I/O 32L
V DDQR
V SS
I/O 33R
I/O 33L
I/O 34R
I/O 34L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
70V3579DR
DR-208 (5)
208-Pin PQFP
Top View (6)
149
148
147
146
145
144
143
142
141
140
139
138
137
136
135
134
133
132
131
130
129
128
127
126
125
124
123
122
121
120
119
118
117
116
115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
I/O 14R
I/O 13L
I/O 13R
V SS
V DDQR
I/O 12L
I/O 12R
I/O 11L
I/O 11R
V SS
V DDQL
I/O 10L
I/O 10R
I/O 9L
I/O 9R
V SS
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V DDQL
I/O 8R
I/O 8L
I/O 7R
I/O 7L
V SS
V DDQR
I/O 6R
I/O 6L
I/O 5R
I/O 5L
V SS
V DDQL
I/O 4R
I/O 4L
I/O 3R
I/O 3L
V SS
V DDQR
I/O 2R
I/O 2L
I/O 1R
I/O 1L
,
4830 drw 02a
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is set to V IL (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 28mm x 28mm x 3.5mm.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
相关PDF资料
PDF描述
KMPC8280CVVUPEA IC MPU PWRQUICC II HIP7 480-TBGA
EMC49DTEN CONN EDGECARD 98POS .100 EYELET
KMPC8280CVVQLDA IC MPU PWRQUICC II HIP7 480-TBGA
IDT70V3579S6BC8 IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA
KMPC8275ZQMIBA IC MPU PWRQUICC II HIP7 516-PBGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V3579S6DR 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208QFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3589S133BC 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3589S133BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3589S133BCI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V3589S133BCI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)