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参数资料
| 型号： | IDT70V3579S6BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（32K x 36） |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V3579S6BF8 |
IDT70V3579S
High-Speed 32K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V3579S4
Com'l Only
70V3579S5
Com'l
& Ind
70V3579S6
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
375
460
285
360
245
310
mA
Current (Both
Outputs Disabled,
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
____
____
285
415
245
360
I SB1
Standby Current
CE L = CE R = V IH
COM'L
S
145
190
105
145
95
125
mA
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
Level Inputs)
IND
S
____
____
105
175
95
150
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH
I SB2
Standby Current
(5)
COM'L
S
265
325
190
260
175
225
mA
(One Port - TTL
Active Port Outputs Disabled,
Level Inputs)
f=f MAX (1)
IND
S
____
____
190
300
175
260
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Both Ports CE L and
CE R > V DDQ - 0.2V,
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
f = 0 (2)
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
COM'L
IND
COM'L
S
S
S
6
____
265
15
____
325
6
6
180
15
30
260
6
6
170
15
30
225
mA
mA
Level Inputs)
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
Active Port, Outputs Disabled,
f = f MAX (1)
IND
S
____
____
180
300
170
260
NOTES:
4830 tbl 09
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS" at input levels of
GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 3.3V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 120mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQ - 0.2V
CE X > V DDQ - 0.2V means CE 0X > V DDQ - 0.2V or CE 1X - 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
8
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