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参数资料
| 型号： | IDT70V3599S133DRI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V3599S133DRI 800-2607 IDT70V3599S133DRI-ND |
IDT70V3599/89S
High-Speed 3.3V 128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Multi-Device Pipelined Read (1,2)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B1)
t SC
t HC
DATA OUT(B1)
t CD2
Q 0
t CD2
Q 1
t CKHZ
t CD2
Q 3
t SA
t HA
t DC
t DC
t CKLZ
t CKHZ
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
DATA OUT(B2)
t CD2
t CKLZ
Q 2
t CKHZ
t CD2
t CKLZ
Q 4
5617 drw 08
Timing Waveform of a Multi-Device Flow-Through Read (1,2)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
CE 0(B1)
t SC
t HC
t SC t HC
t CD1
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CD1
DATA OUT(B1)
D 0
t DC
D 1
t DC
t CKLZ
(1)
D 3
t CKHZ (1)
t CKLZ
(1)
D 5
t SA
t HA
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CKHZ
(1)
DATA OUT(B2)
t CKLZ
(1)
D 2
t CKLZ
(1)
D 4
5617 drw 09
NOTES:
1. B1 Represents Device #1; B2 Represents Device #2. Each Device consists of one IDT70V3599/89 for this waveform,
and are setup for depth expansion in this example. ADDRESS (B1) = ADDRESS (B2) in this situation.
2. BE n , OE , and ADS = V IL ; CE 1(B1) , CE 1(B2) , R/ W and REPEAT = V IH .
13
6.42
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