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参数资料
型号： IDT70V3599S133DRI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 4/23页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP
标准包装： 12
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 4.5M（128K x 36）
速度： 133MHz
接口： 并联
电源电压： 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 208-BFQFP
供应商设备封装： 208-PQFP（28x28）
包装： 托盘
其它名称： 70V3599S133DRI
800-2607
IDT70V3599S133DRI-ND
IDT70V3599/89S
High-Speed 3.3V 128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Pin Configuration (1,2,3,4,5) (con't.)
06/28/02
Industrial and Commercial Temperature Ranges
I/O 19L
I/O 19R
I/O 20L
I/O 20R
V DDQL
V SS
I/O 21L
I/O 21R
I/O 22L
I/O 22R
1
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3
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5
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9
10
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154
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152
151
150
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148
147
I/O 16L
I/O 16R
I/O 15L
I/O 15R
V SS
V DDQL
I/O 14L
I/O 14R
I/O 13L
I/O 13R
V DDQR
V SS
I/O 23L
I/O 23R
I/O 24L
I/O 24R
V DDQL
V SS
I/O 25L
I/O 25R
I/O 26L
I/O 26R
V DDQR
V SS
V DD
V DD
V SS
V SS
V DDQL
V SS
I/O 27R
I/O 27L
I/O 28R
I/O 28L
V DDQR
V SS
I/O 29R
I/O 29L
I/O 30R
I/O 30L
V DDQL
V SS
I/O 31R
I/O 31L
I/O 32R
I/O 32L
V DDQR
V SS
I/O 33R
I/O 33L
I/O 34R
I/O 34L
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52
70V3599/89DR
DR-208 (6)
208-Pin PQFP
Top View (7)
146
145
144
143
142
141
140
139
138
137
136
135
134
133
132
131
130
129
128
127
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125
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123
122
121
120
119
118
117
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115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
V SS
V DDQR
I/O 12L
I/O 12R
I/O 11L
I/O 11R
V SS
V DDQL
I/O 10L
I/O 10R
I/O 9L
I/O 9R
V SS
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V DDQL
I/O 8R
I/O 8L
I/O 7R
I/O 7L
V SS
V DDQR
I/O 6R
I/O 6L
I/O 5R
I/O 5L
V SS
V DDQL
I/O 4R
I/O 4L
I/O 3R
I/O 3L
V SS
V DDQR
I/O 2R
I/O 2L
I/O 1R
I/O 1L
,
5617 drw 02a
NOTES:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
A16 is a NC for IDT70V3589.
All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is set to V IL (0V).
All V SS pins must be connected to ground supply.
Package body is approximately 28mm x 28mm x 3.5mm.
This package code is used to reference the package diagram.
This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
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