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参数资料
型号： IDT70V5388S166BGI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 10/29页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 1.125MBIT 166MHZ 272BGA
标准包装： 20
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 四端口，同步
存储容量： 1.125M（64K x 18）
速度： 166MHz
接口： 并联
电源电压： 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 272-BBGA
供应商设备封装： 272-PBGA（27x27）
包装： 托盘
其它名称： 70V5388S166BGI
IDT70V5388/78
3.3V 64/32K x 18 Synchronous FourPort? Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V5388/78S200 70V5388/78S166 70V5388/78S133 70V5388/78S100
Com'l Only
Com'l
& Ind
Com'l
& Ind
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE 1 = CE 2 = CE 3 = CE 4 (5) = V IL ,
COM'L
S
405
470
340
395
275
320
205
240
Current (All
Outputs Disabled,
mA
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
___
___
340
400
275
325
205
245
I SB1
Standby Current
CE 1 = CE 2 = CE 3 = CE 4 (5) = V IH,
COM'L
S
195
225
160
190
130
155
100
120
(All Ports - TTL
Outputs Disabled,
mA
Level Inputs)
f = f MAX (1)
IND
S
___
___
160
195
130
160
100
125
I SB2
Standby Current
CE A = V IL and CE B = CE C = CE D = V IH (5)
COM'L
S
250
290
210
240
170
195
130
150
(One Port - TTL
Active Port, Outputs Disabled,
mA
Level Inputs)
f=f MAX (1)
IND
S
___
___
210
245
170
200
130
155
I SB3
Full Standby Current (All All Ports Outputs Disabled,
COM'L
S
1.5
15
1.5
15
1.5
15
1.5
15
Ports - CMOS
CE (5) > V DD - 0.2V, V IN > V DD - 0.2V
mA
Level Inputs)
or V IN < 0.2V, f = 0 (2)
IND
S
___
___
1.5
15
1.5
15
1.5
15
I SB4
Full Standby Current
CE A < 0.2V and CE B = CE C = CE D > V DD - 0.2V (5)
COM'L
S
250
290
210
240
170
195
130
150
(One Port - CMOS
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
mA
Level Inputs)
Active Port, Outputs Disabled, f = f MAX (1)
IND
S
___
___
210
245
170
200
130
155
5649 tbl 11
NOTES:
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Parameters are identical for all ports.
4. V DD = 3.3V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 120mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DD - 0.2V
CE X > V DD - 0.2V means CE 0X > V DD - 0.2V or CE 1X - 0.2V
"X" represents indicator for appropriate port.
10
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IDT70V5388S200BC 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V5388S200BC8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V5388S200BCG 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V5388S200BG 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 200MHZ 272BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
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