参数资料
型号: IDT70V9359L7BFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA
标准包装: 60
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 144K(8K x 18)
速度: 7ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-LFBGA
供应商设备封装: 100-CABGA(10x10)
包装: 托盘
其它名称: 70V9359L7BFI
IDT70V9359/49L
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Pin Configurations(cont'd) (1,2,3,4)
70V9359/49BF
BF100 (5)
100-Pin fpBGA
Industrial and Commercial Temperature Ranges
07/03/02
Top View (6)
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A 8R
A 11R
UB R
CNTRST R
Vss
Vss
Vss
I/O 13R I/O 10R I/O 17R
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
A 6R
A 7R
A 10R A 12R (1) R/ W R OE R PL/ FT R I/O 12R I/O 9R I/O 6R
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
A 3R
A 4R
A 5R
A 9R
CE 1R I/O 16R I/O 15R I/O 11R I/O 7R I/O 3R
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
A 0R
CLK R
A 1R
A 2R
LB R
CE 0R I/O 14R I/O 8R I/O 5R I/O 1R
E1
E2
E3
E4
E5
E6
E7
E8
E9
E10
Vss
ADS R
CNTEN R
A 1L
ADS L
Vss
I/O 4R I/O 2R I/O 0R
V DD
F1
Vss
G1
F2
CLK L
G2
F3
A 0L
G3
F4
A 3L
G4
F5
V DD
G5
F6
Vss
G6
F7
V DD
G7
F8
I/O 2L
G8
F9
I/O 1L
G9
F10
I/O 0L
G10
CNTEN L
H1
A 4L
H2
A 7L
H3
UB L
H4
H5
Vss
I/O 13L
H6
NC
H7
I/O 4L
H8
Vss
H9
I/O 3L
H10
,
A 2L
A 6L
A 11L
CE 0L
CNTRST L
I/O 15L I/O 9L I/O 7L
I/O 6L
I/O 5L
J1
J2
J3
J4
J5
J6
J7
J8
J9
J10
A 5L
A 9L
A 12L (1) R/ W L
OE L PL/ FT L I/O 12L I/O 10L
Vss
I/O 8L
K1
K2
K3
K4
K5
K6
K7
K8
K9
K10
A 8L
A 10L
LB L
CE 1L
V DD
V DD
I/O 16L I/O 14L I/O 11L I/O 17L
5638 drw 03
NOTES:
1. A 12 is a NC for IDT70V9349.
2. All V DD pins must be connected to power supply.
3. All V SS pins must be connected to ground supply.
4. Package body is approximately 10mm x 10mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
3
6.42
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