收藏本站
参数资料
型号： IDT70V9359L7BFI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 5/17页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA
标准包装： 60
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 144K（8K x 18）
速度： 7ns
接口： 并联
电源电压： 3 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 100-LFBGA
供应商设备封装： 100-CABGA（10x10）
包装： 托盘
其它名称： 70V9359L7BFI
IDT70V9359/49L
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Truth Table II—Address Counter Control (1,2)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Previous
Internal
L
L
External
Address
An
X
X
X
Internal
Address
X
An
An + 1
X
Address
Used
An
An + 1
An + 1
A 0
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
L (4)
H
H
X
CNTEN
X
(5)
H
X
CNTRST
H
H
H
(4)
I/O (3)
D I/O (n)
D I/O (n+1)
D I/O (n+1)
D I/O (0)
MODE
External Address Used
Counter Enabled—Internal Address generation
External Address Blocked—Counter disabled (An + 1 reused)
Counter Reset to Address 0
NOTES:
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
2. CE 0 , LB , UB , and OE = V IL ; CE 1 and R/ W = V IH .
3. Outputs configured in Flow-Through Output mode: if outputs are in Pipelined mode the data out will be delayed by one cycle.
4. ADS and CNTRST are independent of all other signals including CE 0 , CE 1 , UB and LB .
5. The address counter advances if CNTEN = V IL on the rising edge of CLK, regardless of all other signals including CE 0 , CE 1 , UB and LB .
5638 tbl 03
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Recommended DC Operating
Conditions
Grade
Commercial
Ambient
Temperature (1)
0 O C to +70 O C
GND
0V
V DD
3.3V + 0.3V
Symbol
V DD
V SS
Parameter
Supply Voltage
Ground
Min.
3.0
0
Typ.
3.3
0
Max.
3.6
0
Unit
V
V
Industrial
-40 O C to +85 O C
0V
3.3V + 0.3V
V IH
Input High Voltage
2.0
____
V DD +0.3V
(2)
V
-0.3
NOTES:
5638 tbl 04
V IL
Input Low Voltage
(1)
____
0.8
V
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10 ns.
2. V TERM must not exceed V DD +0.3V.
5638 tbl 05
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
& Industrial
Unit
Capacitance (1)
(T A = +25°C, f = 1.0MH Z )
Symbol Parameter
Conditions (2)
Max.
Unit
C
C OUT
V TERM (2)
T BIAS
Terminal Voltage
with Respect to
GND
Temperature
Under Bias
-0.5 to +4.6
-55 to +125
V
o
C IN
(3)
NOTES:
Input Capacitance
Output Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
9
10
pF
pF
5638 tbl 07
T STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
I OUT
NOTES:
DC Output Current
50
mA
5638 tbl 06
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V DD +0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD + 0.3V.
5
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V9369L7PFI IC SRAM 288KBIT 7NS 100TQFP
IDT70V9389L6PRF IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP
IDT71016S20YGI IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
IDT71024S25TYGI IC SRAM 1MBIT 25NS 32SOJ
IDT71124S20YGI IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V9359L7PF 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V9359L7PF8 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V9359L7PFI 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V9359L7PFI8 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V9359L9BF 功能描述:IC SRAM 144KBIT 9NS 100FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*