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参数资料
| 型号： | IDT70V9359L7BFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA |
| 标准包装： | 60 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 144K（8K x 18） |
| 速度： | 7ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 100-CABGA（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9359L7BFI |
IDT70V9359/49L
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
AC Test Conditions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
2ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1, 2, and 3
5638 tbl 10
DATA OUT
3.3V
590 ?
DATA OUT
3.3V
590 ?
435 ?
30pF
435 ?
5pF*
5638 drw 04
Figure 1. AC Output Test load.
8
7
5638 drw 05
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
- 10pF is the I/O capacitance
of this device, and 30pF is the
AC Test Load Capacitance
6
5
tCD 1 ,
tCD 2
(Typical, ns)
4
3
2
1
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
-1
Capacitance (pF)
5638 drw 06
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
7
6.42
.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V9359L7PFI | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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