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参数资料
| 型号： | IDT70V9369L7PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 288KBIT 7NS 100TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 288K（16K x 18） |
| 速度： | 7ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9369L7PFI |
IDT70V9369L
High-Speed 3.3V 16K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read (4,5,7)
CLK "A"
t SW t HW
R/ W "A"
t SA
t HA
ADDRESS "A"
DATA IN "A"
MATCH
t SD
t HD
VALID
t CCS
(6)
NO
MATCH
CLK "B"
t CD1
R/ W "B"
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS "B"
MATCH
t CWDD (6)
NO
MATCH
t CD1
NOTES:
DATA OUT "B"
t DC
VALID
t DC
VALID
5648 drw 10
.
1. B1 Represents Bank #1; B2 Represents Bank #2. Each Bank consists of one IDT70V9369 for this waveform, and are setup for depth expansion in this
example. ADDRESS (B1) = ADDRESS (B2) in this situation.
2. UB , LB , OE , and ADS = V IL ; CE 1(B1) , CE 1(B2) , R/ W and CNTRST = V IH .
3. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
4. CE 0 , UB , LB , and ADS = V IL ; CE 1 and CNTRST = V IH .
5. OE = V IL for the Right Port, which is being read from. OE = V IH for the Left Port, which is being written to.
6. If t CCS < maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for t CWDD .
If t CCS > maximum specified, then data from right port READ is not valid until t CCS + t CD1 . t CWDD does not apply in this case.
7. All timing is the same for both Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite from Port "A".
10
6.42
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