- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70V9389L6PRF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V9389L6PRF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（64K x 18） |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9389L6PRF |
IDT70V9389/289L
High-Speed 3.3V 64K x18/x16 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial & Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature Range
(Read and Write Cycle Timing) (3) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V9389/289L7
Com'l Only
70V9389/289L9
Com'l & Ind
70V9389/289L12
Com'l Only
Clock Cycle Time (Flow-Through)
Clock High Time (Flow-Through)
Clock Low Time (Flow-Through)
Clock Low Time (Pipelined)
Symbol
t CYC1
t CYC2
t CH1
t CL1
t CH2
t CL2
t R
t F
t SA
t HA
t SC
t HC
t SB
t HB
t SW
t HW
t SD
t HD
t SAD
t HAD
t SCN
t HCN
t SRST
t HRST
t OE
t OLZ
Parameter
(2)
Clock Cycle Time (Pipelined) (2)
(2)
(2)
Clock High Time (Pipelined) (2)
(2)
Clock Rise Time
Clock Fall Time
Address Setup Time
Address Hold Time
Chip Enable Setup Time
Chip Enable Hold Time
Byte Enable Setup Time
Byte Enable Hold Time
R/W Setup Time
R/W Hold Time
Input Data Setup Time
Input Data Hold Time
ADS Setup Time
ADS Hold Time
CNTEN Setup Time
CNTEN Hold Time
CNTRST Setup Time
CNTRST Hold Time
Output Enable to Data Valid
Output Enable to Output Low-Z (1)
Min.
22
12
7.5
7.5
5
5
____
____
4
0
4
0
4
0
4
0
4
0
4
0
4
0
4
0
____
2
Max.
____
____
____
____
____
____
3
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
7.5
____
Min.
25
15
12
12
6
6
____
____
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
____
2
Max.
____
____
____
____
____
____
3
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
9
____
Min.
30
20
12
12
8
8
____
____
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
____
2
Max.
____
____
____
____
____
____
3
3
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
12
____
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t OHZ
Output Enable to Output High-Z
(1)
1
7
1
7
1
7
ns
Clock to Data Valid (Pipelined)
t CD1
t CD2
t DC
Clock to Data Valid (Flow-Through) (2)
(2)
Data Output Hold After Clock High
____
____
2
18
7.5
____
____
____
2
20
9
____
____
____
2
25
12
____
ns
ns
ns
t CKHZ
Clock High to Output High-Z
(1)
2
9
2
9
2
9
ns
t CKLZ
Clock High to Output Low-Z (1)
2
____
2
____
2
____
ns
Port-to-Port Delay
t CWDD
t CCS
Write Port Clock High to Read Data Delay
Clock-to-Clock Setup Time
____
____
28
10
____
____
35
15
____
____
40
15
ns
ns
NOTES:
4856 tbl 11a
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2). This parameter is guaranteed by device characteriza-
tion, but is not production tested.
2. The Pipelined output parameters (t CYC2 , t CD2 ) apply to either or both the Left and Right ports when FT /PIPE = V IH . Flow-through parameters (t CYC1 , t CD1 ) apply
when FT /PIPE = V IL for that port.
3. All input signals are synchronous with respect to the clock except for the asynchronous Output Enable ( OE ), FT /PIPE R , and FT /PIPE L .
10
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71016S20YGI | IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ |
| IDT71024S25TYGI | IC SRAM 1MBIT 25NS 32SOJ |
| IDT71124S20YGI | IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ |
| IDT71256L35Y/2996 | IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ |
| IDT71256SA25PZGI | IC SRAM 256KBIT 25NS 28TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V9389L6PRF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9389L7PRF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V9389L7PRF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9389L9PRF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V9389L9PRF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。