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参数资料
| 型号： | IDT70V9389L6PRF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（64K x 18） |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9389L6PRF |
IDT70V9389/289L
High-Speed 3.3V 64K x18/x16 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial & Commercial Temperature Ranges
Functional Description
The IDT70V9389/289 provides a true synchronous Dual-Port Static
RAM interface. Registered inputs provide minimal set-up and hold times
on address, data, and all critical control inputs. All internal registers are
clocked on the rising edge of the clock signal, however, the self-timed
internal write pulse is independent of the LOW to HIGH transition of the clock
signal.
An asynchronous output enable is provided to ease asynchronous
bus interfacing. Counter enable inputs are also provided to staff the
operation of the address counters for fast interleaved memory applications.
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL for one clock cycle will power down the internal
circuitry to reduce static power consumption. Multiple chip enables allow
easier banking of multiple IDT70V9389/289's for depth expansion con-
figurations. When the Pipelined output mode is enabled, two cycles are
required with CE 0 = V IL and CE 1 = V IH to re-activate the outputs.
A 16
IDT70V9389/289 CE 0
Depth and Width Expansion
The IDT70V9389/289 features dual chip enables (refer to Truth
Table I) in order to facilitate rapid and simple depth expansion with
no requirements for external logic. Figure 4 illustrates how to control
the various chip enables in order to expand two devices in depth.
The IDT70V9389/289 can also be used in applications requiring
expanded width, as indicated in Figure 4. Since the banks are allocated
at the discretion of the user, the external controller can be set up to drive
the input signals for the various devices as required to allow for 36/32-bit
or wider applications.
IDT70V9389/289 CE 0
CE 1
Control Inputs
IDT70V9389/289 CE 1
V DD
CE 1
Control Inputs
IDT70V9389/289 CE 1
V DD
Control Inputs
CE 0
Control Inputs
CE 0
CNTRST
CLK
ADS
CNTEN
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT70V9389/289
17
6.42
4856 drw 18
R/ W
LB , UB
OE
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V9389L7PRF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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