参数资料
型号: IDT70V9389L6PRF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 15/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 1.125M(64K x 18)
速度: 6ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 128-LQFP
供应商设备封装: 128-TQFP(14x20)
包装: 托盘
其它名称: 70V9389L6PRF
IDT70V9389/289L
High-Speed 3.3V 64K x18/x16 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial & Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance (1)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS
ADS
CNTEN
An
t SAD t HAD
t CD2
t SAD t HAD
t SCN t HCN
DATA OUT
Qx - 1 (2)
Qx
Qn
Qn + 1
Qn + 2 (2)
Qn + 3
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
4856 drw 14
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance (1)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t HA
ADDRESS
ADS
An
t SAD t HAD
t SAD t HAD
t SCN t HCN
CNTEN
t CD1
DATA OUT
Qx (2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3 (2)
Qn + 4
t DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
READ
WITH
COUNTER
4856 drw 15
NOTES:
1. CE 0 , OE , UB , and LB = V IL ; CE 1 , R/ W , and CNTRST = V IH .
2. If there is no address change via ADS = V IL (loading a new address) or CNTEN = V IL (advancing the address), i.e. ADS = V IH and CNTEN = V IH , then the data
output remains constant for subsequent clocks.
15
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT71016S20YGI IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
IDT71024S25TYGI IC SRAM 1MBIT 25NS 32SOJ
IDT71124S20YGI IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ
IDT71256L35Y/2996 IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ
IDT71256SA25PZGI IC SRAM 256KBIT 25NS 28TSOP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V9389L6PRF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V9389L7PRF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V9389L7PRF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V9389L9PRF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V9389L9PRF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8