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参数资料
| 型号： | IDT71V30S25TF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V30S25TF |
IDT71V30S/L
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Timing Waveform of Write with BUSY (3)
t WP
R/ W 'A'
t WB
BUSY 'B'
Industrial and Commercial Temperature Ranges
t WH
(1)
NOTES:
1. t WH must be met for BUSY .
R/ W 'B'
(2)
3741 drw 11
,
2. BUSY is asserted on port 'B' blocking R/ W 'B' , until BUSY 'B' goes HIGH.
3. All timing is the same for the left and right ports. Port 'A' may be either the left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
Timing Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (1)
ADDR
'A' AND 'B'
CE 'B'
CE 'A'
t APS (2)
t BAC
ADDRESSES MATCH
t BDC
BUSY 'A'
3741 drw 12
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisified, the BUSY will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
Timing Waveform of BUSY Arbitration Controlled Address Match Timing (1)
t RC
OR t WC
ADDR 'A'
ADDR 'B'
t APS
(2)
ADDRESSES MATCH
t BAA
ADDRESSES DO NOT MATCH
t BDA
BUSY 'B'
3741 drw 13
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisified, the BUSY will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1-84981-4 | CONN FFC 14POS 1.00MM R/A SMD |
| 84952-5 | CONN FPC 5POS 1MM RT ANG SMD |
| IDT7130LA25TF | IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP |
| IDT71342LA35PF8 | IC SRAM 32KBIT 35NS 64TQFP |
| 84982-5 | CONN FFC 5POS 1MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V30S25TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S35TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30S35TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S55TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S55TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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