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参数资料
| 型号： | IDT71V30S25TF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V30S25TF |
IDT71V30S/L
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (1,2)
71V30X25
Com'l Only
71V30X35
Com'l & Ind
71V30X55
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t AS
t WR
t INS
t INR
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
____
____
____
____
25
25
0
0
____
____
____
____
25
25
0
0
____
____
____
____
45
45
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
Timing Waveform of Interrupt Mode (1)
INT Sets
t WC
3741 tbl 12
ADDR 'A'
INTERRUPT ADDRESS (2)
t AS (3)
t WR (4)
R/ W 'A'
t INS (3)
INT 'B'
3741 drw 14
INT Clears
t RC
ADDR 'B'
t AS
(3)
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
OE 'B'
t INR (3)
INT 'A'
3741 drw 15
NOTES: .
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. See Interrupt Truth Table II.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
11
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1-84981-4 | CONN FFC 14POS 1.00MM R/A SMD |
| 84952-5 | CONN FPC 5POS 1MM RT ANG SMD |
| IDT7130LA25TF | IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP |
| IDT71342LA35PF8 | IC SRAM 32KBIT 35NS 64TQFP |
| 84982-5 | CONN FFC 5POS 1MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V30S25TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S35TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30S35TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S55TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S55TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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