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参数资料
| 型号： | IDT71V30S25TF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V30S25TF |
IDT71V30S/L
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1,6,7) (V CC = 3.3V ± 0.3V)
71V30X25
Com'l Only
71V30X35
Com'l & Ind
71V30X55
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating Current
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
75
150
75
145
75
135
mA
(Both Ports Active)
Outputs Disabled
f = f MAX (3)
IND
L
S
L
75
___
___
120
___
___
75
___
75
115
___
145
75
___
___
105
___
___
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
CE L and CE R = V IL ,
f = f MAX (3)
COM'L
S
L
20
20
50
35
20
20
50
35
20
20
50
35
mA
Inputs)
IND
S
L
___
___
___
___
___
20
___
50
___
___
___
___
I SB2
Standby Current
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
COM'L
S
30
105
30
100
30
90
mA
(One Port - TTL Level
Inputs)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
IND
L
S
L
30
___
___
75
___
___
30
___
30
70
___
100
30
___
___
60
___
___
I SB3
Full Standby Current (Both
CE L and CE R > V CC - 0.2V
COM'L
S
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
5.0
mA
Ports - CMOS Level Inputs) V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
IND
L
S
L
0.2
___
___
3.0
___
___
0.2
___
1.0
3.0
___
5.0
0.2
___
___
3.0
___
___
I SB4
Full Standby Current
(One Port - CMOS
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
COM'L
S
L
30
30
90
75
30
30
85
70
30
30
75
60
mA
Level Inputs)
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f=f MAX (3)
IND
S
L
___
___
___
___
___
30
___
85
___
___
___
___
3741 tbl 06
NOTES:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)
2. V CC = 3.3V, T A = +25°C, and are not production tested. I CCDC = 70mA (Typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
6. Refer to chip enable Truth Table I.
7. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
Data Retention Characteristics
(L Version Only)
71V30L
Symbol
V DR
I CCDR
t CDR (3)
t R (3)
Parameter
V CC for Data Retention
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
Test Condition
V CC = 2 V, CE > V CC -0.2V
V IN > V CC -0.2V or V IN < 0.2V
Ind.
Com'l.
Min.
2.0
____
____
0
t RC (2)
Typ. (1)
____
100
100
____
____
Max.
____
1000
500
____
____
Unit
V
μA
ns
ns
3741 tbl 07
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and is not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization but not production tested.
6.42
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PDF描述 |
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| IDT7130LA25TF | IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP |
| IDT71342LA35PF8 | IC SRAM 32KBIT 35NS 64TQFP |
| 84982-5 | CONN FFC 5POS 1MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V30S25TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S35TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30S35TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S55TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S55TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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