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参数资料
| 型号： | IDT71V30S25TF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V30S25TF |
IDT71V30S/L
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
AC Test Conditions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Waveform
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
GND to 3.0V
3ns Max.
DATA RETENTION MODE
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
1.5V
1.5V
V CC
3.0V
t CDR
V DR ≥ 2.0V
3.0V
t R
Output Load
Figures 1 and 2
3741 tbl 08
CE
V IH
V DR
V IH
3741 drw 04 ,
3.3V
590 ?
3.3V
590 ?
435 ?
DATA OUT
BUSY
INT
30pF
DATA OUT
435 ?
5pF
3741 drw 05
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(For t HZ , t LZ , t WZ and t OW )
* Including scope and jig.
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (3,4)
71V30X25
Com'l Only
71V30X35
Com'l & Ind
71V30X55
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
t LZ
t HZ
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
Output High-Z Time (1,2)
25
____
____
____
3
0
____
____
25
25
12
____
____
12
35
____
____
____
3
0
____
____
35
35
20
____
____
15
55
____
____
____
3
0
____
____
55
55
25
____
____
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
50
____
50
____
50
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low- or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
4. Industrial temperature: for specific speeds, packages and power contact your sales office.
5
6.42
3741 tbl 09
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PDF描述 |
|---|---|
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| 84952-5 | CONN FPC 5POS 1MM RT ANG SMD |
| IDT7130LA25TF | IC SRAM 8KBIT 25NS 64STQFP |
| IDT71342LA35PF8 | IC SRAM 32KBIT 35NS 64TQFP |
| 84982-5 | CONN FFC 5POS 1MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V30S25TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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| IDT71V30S35TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S55TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V30S55TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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