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参数资料
| 型号： | IDT71V321S25TF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP |
| 标准包装： | 1,250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V321S25TF8 |
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with BUSY (4)
t WP
R/ W "A"
t WB (3)
BUSY "B"
t WH (1)
NOTES:
R/ W "B"
(2)
3026 drw 11
,
1. t WH must be met for both BUSY input (71V421, slave) or output (71V321, master).
2. BUSY is asserted on port 'B' blocking R/ W ' B' , until BUSY 'B' goes HIGH.
3. t WB is for the slave version (71V421).
4. All timing is the same for the left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is oppsite from port "A".
Timing Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (1)
ADDR
"A" AND "B"
CE "B"
CE "A"
t APS (2)
t BAC
ADDRESSES MATCH
t BDC
BUSY "A"
3026 drw 12
Timing Waveform of BUSY Arbritration Controlled
by Address Match Timing (1)
t RC
OR t WC
ADDR "A"
ADDR "B"
t APS
(2)
ADDRESSES MATCH
t BAA
ADDRESSES DO NOT MATCH
t BDA
BUSY "B"
3026 drw 13
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisified, the BUSY will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted (71V321 only).
10
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACC60DRAI | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP |
| IDT71V321L35PF8 | IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP |
| 84952-9 | CONN FPC 9POS 1MM RT ANG SMD |
| IDT7133LA55J8 | IC SRAM 32KBIT 55NS 68PLCC |
| IDT70125L35J8 | IC SRAM 18KBIT 35NS 52PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT71V321S35J8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V321S35PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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