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参数资料
| 型号： | IDT71V321S25TF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP |
| 标准包装： | 1,250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V321S25TF8 |
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Description
The IDT71V321/IDT71V421 are high-speed 2K x 8 Dual-Port
Static RAMs with internal interrupt logic for interprocessor communica-
tions. The IDT71V321 is designed to be used as a stand-alone 8-bit
Dual-Port RAM or as a "MASTER" Dual-Port RAM together with the
IDT71V421 "SLAVE" Dual-Port in 16-or-more-bit memory system ap-
plications results in full speed, error-free operation without the need for
additional discrete logic.
The device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access
for reads or writes to any location in memory. An automatic power
Pin Configurations (1,2,3)
INDEX
Industrial and Commercial Temperature Ranges
down feature, controlled by CE , permits the on chip circuitry of each
port to enter a very low standby power mode.
Fabricated using IDT's CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 325mW of power. Low-power (L)
versions offer battery backup data retention capability, with each Dual-
Port typically consuming 200μW from a 2V battery.
The IDT71V321/IDT71V421 devices are packaged in a 52-pin
PLCC, a 64-pin TQFP (thin quad flatpack), and a 64-pin STQFP
(super thin quad flatpack).
A 1L
A 2L
46
8 7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
9 45
OE R
A 0R
A 3L
A 4L
A 5L
10
11
12
44
43
42
A 1R
A 2R
A 3R
A 6L
A 7L
A 8L
A 9L
I/O 0L
I/O 1L
I/O 2L
13
14
15
16
17
18
19
IDT71V321/421J
J52-1 (4)
52-Pin PLCC
Top View (5)
41
40
39
38
37
36
35
A 4R
A 5R
A 6R
A 7R
A 8R
A 9R
NC
I/O 3L
20 34
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
I/O 7R
3026 drw 02
INDEX
,
OE L
A 0L
A 1L
A 2L
A 3L
1
2
3
4
5
48
47
46
45
44
OE R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
A 4L
A 5L
A 6L
N/C
A 7L
A 8L
A 9L
N/C
6
7
8
9
10
11
12
13
IDT71V321/421PF or TF
PP64-1 (4)
&
PN64-1 (4)
64-Pin STQFP
64-Pin TQFP
Top View (5)
43
42
41
40
39
38
37
36
A 4R
A 5R
A 6R
N/C
A 7R
A 8R
A 9R
N/C
NOTES:
1. All V CC pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground supply.
I/O 0L
I/O 1L
I/O 2L
14
15
16
35
34
33
N/C
I/O 7R
I/O 6R
3. J52-1 package body is approximately .75 in x .75 in x .17 in.
PP64-1 package body is approximately 10mm x 10mm x 1.4mm.
PN64-1 package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
3026 drw 03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| ACC60DRAI | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP |
| IDT71V321L35PF8 | IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP |
| 84952-9 | CONN FPC 9POS 1MM RT ANG SMD |
| IDT7133LA55J8 | IC SRAM 32KBIT 55NS 68PLCC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V321S35J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V321S35J8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V321S35PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71V321S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V321S35TF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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