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参数资料
| 型号： | IDT71V321S25TF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP |
| 标准包装： | 1,250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V321S25TF8 |
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Truth Tables
Table I — Non-Contention
Read/Write Control (4)
Left or Right Port (1)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
R/ W
X
X
L
H
H
CE
H
H
L
L
L
OE
X
X
X
L
H
D 0-7
Z
Z
DATA IN
DATA OUT
Z
Function
Port Deselected and in Power-
Down Mode. I SB2 or I SB4
CE R = CE L = V IH, Power-Down Mode I SB1
or I SB3
Data on Port Written Into Memory (2)
Data in Memory Output on Port (3)
High-impedance Outputs
NOTES:
1. A 0L – A 10L ≠ A 0R – A 10R .
2. If BUSY = L, data is not written.
3. If BUSY = L, data may not be valid, see t WDD and t DDD timing.
4. 'H' = V IH , 'L' = V IL , 'X' = DON’T CARE, 'Z' = High-impedance.
Table II — Interrupt Flag (1,4)
Left Port
3026 tbl 13
Right Port
L
H
L
H
R/ W L
L
X
X
X
CE L
L
X
X
L
OE L
X
X
X
L
A 10L -A 0L
7FF
X
X
7FE
INT L
X
X
(3)
(2)
R/ W R
X
X
L
X
CE R
X
L
L
X
OE R
X
L
X
X
A 10R -A 0R
X
7FF
7FE
X
INT R
(2)
(3)
X
X
Function
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
NOTES :
1. Assumes BUSY L = BUSY R = V IH
2. If BUSY L = V IL , then No Change.
3. If BUSY R = V IL , then No Change.
4. 'H' = HIGH, 'L' = LOW, 'X' = DON’T CARE
Table III — Address BUSY Arbitration
3026 tbl 14
Inputs
Outputs
CE L
X
H
X
L
CE R
X
X
H
L
A OL -A 10L
A OR -A 10R
NO MATCH
MATCH
MATCH
MATCH
BUSY L (1)
H
H
H
(2)
BUSY R (1)
H
H
H
(2)
Function
Normal
Normal
Normal
Write Inhibit (3)
3026 tbl 15
NOTES:
1. Pins BUSY L and BUSY R are both outputs for IDT71V321 (master). Both are inputs
for IDT71V421 (slave). BUSY X outputs on the IDT71V321 are totem-pole. On
slaves the BUSY X input internally inhibits writes.
2. 'L' if the inputs to the opposite port were stable prior to the address and enable
inputs of this port. 'H' if the inputs to the opposite port became stable after the
address and enable inputs of this port. If t APS is not met, either BUSY L or BUSY R
= LOW will result. BUSY L and BUSY R outputs can not be LOW simultaneously.
3. Writes to the left port are internally ignored when BUSY L outputs are driving LOW
regardless of actual logic level on the pin. Writes to the right port are internally
ignored when BUSY R outputs are driving LOW regardless of actual logic level
on the pin.
12
6.42
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PDF描述 |
|---|---|
| ACC60DRAI | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP |
| IDT71V321L35PF8 | IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP |
| 84952-9 | CONN FPC 9POS 1MM RT ANG SMD |
| IDT7133LA55J8 | IC SRAM 32KBIT 55NS 68PLCC |
| IDT70125L35J8 | IC SRAM 18KBIT 35NS 52PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT71V321S35J8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT71V321S35PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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