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参数资料
| 型号： | IDT71V321S25TF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP |
| 标准包装： | 1,250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71V321S25TF8 |
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
71V321X25
71V421X25
Com'l & Ind
71V321X35
71V421X35
Com'l & Ind
71V321X55
71V421X55
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
t EW
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
t HZ
Write Cycle Time (5)
Chip Enable to End-of-Write
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Output High-Z Time (1,2)
25
20
20
0
20
0
12
____
____
____
____
____
____
____
____
12
35
30
30
0
30
0
20
____
____
____
____
____
____
____
____
15
55
40
40
0
40
0
20
____
____
____
____
____
____
____
____
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t DH
Data Hold Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t WZ
t OW
Write Enable to Output in High-Z (1,2)
Output Active from End-of-Write (1,2)
____
0
15
____
____
0
15
____
____
0
30
____
ns
ns
NOTES:
3026 tbl 10
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.
3. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over
voltage and temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
5. For Master/Slave combination, t WC = t BAA + t WP , since R/ W = V IL must occur after t BAA .
7
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACC60DRAI | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP |
| IDT71V321L35PF8 | IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP |
| 84952-9 | CONN FPC 9POS 1MM RT ANG SMD |
| IDT7133LA55J8 | IC SRAM 32KBIT 55NS 68PLCC |
| IDT70125L35J8 | IC SRAM 18KBIT 35NS 52PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT71V321S35PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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