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参数资料
| 型号： | IDT71V547S100PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V547S100PF |
tCYC
CLK
tSE
tCH
tCL
tHE
CEN
tSADV
tHADV
ADV/ LD
tSW
tHW
R/ W
tSA
tHA
ADDRESS
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
tSC
tHC
CE 1 , CE 2 (2)
tSB
tHB
BW 1 - BW 4
B(A2)
B(A4)
B(A5)
B(A8)
OE
tSD tHD
DATA In
DATA Out
tCD
Q(A1)
Read
Write
tCHZ
D(A2)
tCLZ
Q(A3)
Read
tCDC
Write
D(A4)
Write
D(A5)
Q(A6)
Read
Q(A7)
Read
Write
D(A8)
NOTES:
3822 drw 08
1. Q (A 1 ) represents the first output from the external address A 1 . D (A 2 ) represents the input data to the SRAM corresponding to address A 2 .
2. CE 2 timing transitions are identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals. For example, when CE 1 and CE 2 are LOW on this waveform, CE 2 is HIGH.
3. Individual Byte Write signals ( BW x) must be valid on all write and burst-write cycles. A write cycle is initiated when R/ W signal is sampled LOW. The byte write information
comes in one cycle before the actual data is presented to the SRAM.
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PDF描述 |
|---|---|
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| R2S12-0512/P-R | CONV DC/DC 2W 5VIN 12VOUT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT71V547S100PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
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