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参数资料
| 型号： | IDT71V547S100PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V547S100PF |
IDT71V547, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
I/O P3
I/O 16
I/O 17
V DD
V SS
I/O 18
I/O 19
I/O 20
I/O 21
V SS
V DD
I/O 22
I/O 23
V SS (1)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
I/O P2
I/O 15
I/O 14
V DD
V SS
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 10
V SS
V DD
I/O 9
I/O 8
V SS
V DD
V DD
V SS
I/O 24
I/O 25
V DD
V SS
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 29
V SS
V DD
I/O 30
I/O 31
I/O P4
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
PK100-1
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
V SS
V DD
V SS
I/O 7
I/O 6
V DD
V SS
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
V SS
V DD
I/O 1
I/O 0
I/O P1
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
Top View
TQFP
3822 drw 02
NOTES:
1. Pin 14 does not have to be connected directly to V SS as long as the input voltage is < V IL .
2. Pins 83 and 84 are reserved for future A 17 (8M) and A 18 (16M) respectively.
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Value
Unit
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, TQFP package)
V TERM
V TERM (2)
V TERM (3)
(4)
Supply Voltage on VDD with
Respect to GND
DC Input Voltage (5)
DC Voltage Applied to Outputs in
High-Z State (5)
–0.5 to +3.6
–0.5 to V DDQ +0.5
–0.5 to V DDQ +0.5
V
V
V
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
5
7
Unit
pF
pF
T A
Operating Temperature
0°C to 70°C
°C
NOTE:
3822 tbl 06
T BIAS
Ambient Temperature with Power
–55 to +125
°C
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
Applied (Temperature Under
Bias)
T STG
I OUT
V ESD
Storage Temperature
Current into Outputs (Low)
Static Discharge Voltage
–65 to +150
20
>2001
°C
mA
V
(per MIL-STD-883, Method 3015)
I LU
NOTES:
Latch-Up Current
>200
mA
5284 tbl 05
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. V DD and Input terminals only.
3. I/O terminals.
4
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