- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20154 > IDT71V547S100PF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71V547S100PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP |
| 标准包装： | 72 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步 ZBT |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71V547S100PF |
IDT71V547, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Read Operation (1)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Cycle
n
n+1
Address
A0
X
R/ W
H
X
ADV/ LD
L
X
CE (2)
L
X
CEN
L
X
BW x
X
X
OE
X
L
I/O
X
Q0
Comments
Address and Control meet setup
Co ntents of Address A0 Read Out
NOTE:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
Burst Read Operation (1)
3822 tbl 12
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
Address
A0
X
X
X
X
A1
X
A2
R/ W
H
X
X
X
X
H
X
H
ADV/ LD
L
H
H
H
H
L
H
L
CE (2)
L
X
X
X
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
X
X
X
X
X
X
X
X
OE
X
L
L
L
L
L
L
L
I/O
X
Q0
Q 0+1
Q 0+2
Q 0+3
Q0
Q1
Q 1+1
Comments
Address and Control meet setup
Address A0 Read Out, Inc. Count
Address A 0+1 Read Out, Inc. Count
Address A 0+2 Read Out, Inc. Count
Address A 0+3 Read Out, Load A1
Address A0 Read Out, Inc. Count
Address A1 Read Out, Inc. Count
Address A 1+1 Read Out, Load A2
NOTE:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
Write Operation (1)
3822 tbl 13
Cycle
n
n+1
Address
A0
X
R/ W
L
X
ADV/ LD
L
X
CE (2)
L
X
CEN
L
L
BW x
L
X
OE
X
X
I/O
X
D0
Comments
Address and Control meet setup
Write to Address A0
NOTE:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
Burst Write Operation (1)
3822 tbl 14
Cycle
n
n+1
n+2
n+3
n+4
n+5
n+6
n+7
Address
A0
X
X
X
X
A1
X
A2
R/ W
L
X
X
X
X
L
X
L
ADV/ LD
L
H
H
H
H
L
H
L
CE (2)
L
X
X
X
X
L
X
L
CEN
L
L
L
L
L
L
L
L
BW x
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
X
X
X
X
X
X
I/O
X
D0
D 0+1
D 0+2
D 0+3
D0
D1
D 1+1
Comments
Address and Control meet setup
Address A0 Write, Inc. Count
Address A 0+1 Write, Inc. Count
Address A 0+2 Write, Inc. Count
Address A 0+3 Write, Load A1
Address A0 Write, Inc. Count
Address A1 Write, Inc. Count
Address A 1+1 Write, Load A2
NOTE:
1. H = High; L = Low; X = Don’t Care; Z = High Impedance.
2. CE 2 timing transition is identical to CE 1 signal. CE 2 timing transition is identical but inverted to the CE 1 and CE 2 signals.
8
3822 tbl 15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HHR-30SCPY20F6 | BATTERY PACK NIMH 7.2V 3000 MAH |
| GRM155R71E472KA01D | CAP CER 4700PF 25V 10% X7R 0402 |
| HHR-30SCPY20L3X2 | BATTERY PACK NIMH 7.2V 3000 MAH |
| T95R397M6R3CSAL | CAP TANT 390UF 6.3V 20% 2824 |
| R2S12-0512/P-R | CONV DC/DC 2W 5VIN 12VOUT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71V547S100PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
| IDT71V547S100PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V547S100PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V547S100PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71V547S100PFGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。