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参数资料
| 型号： | IPB050N06L |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | IPB050N06L |
IPP050N06N G IPB050N06N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
0.5
K/W
SMD version, device on PCB
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm
2
cooling area
3)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=1 mA
60
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=270 μA
2.1
3
4
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.01
1
μA
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
-
1
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
10
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A
-
4.1
5
m
V
GS
=10 V,
I
D
=100 A,
SMD version
3.8
4.7
Gate resistance
R
G
-
1.9
-
Transconductance
g
fs
|
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
,
I
D
=100 A
74
148
-
S
3)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 μm thick) copper area for
drain connection. PCB is vertical in still air.
Values
Rev. 1.11
page 2
2006-07-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB050N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB050N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB051NE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB050N06LG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB050N06N G | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB050N06NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB050N06NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| IPB051NE8N G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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