型号: | IPB050N06L |
厂商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
中文描述: | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
文件页数: | 3/10页 |
文件大小: | 451K |
代理商: | IPB050N06L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IPB050N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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IPI05CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IPB050N06LG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢ Power-Transistor |
IPB050N06N G | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IPB050N06NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
IPB050N06NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
IPB051NE8N G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |