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参数资料
| 型号： | IPB050N06L |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | IPB050N06L |
IPP050N06N G IPB050N06N G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=100 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
2
4
6
8
10
12
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
270 μA
2700 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
5
10
4
10
3
10
2
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C 98%
175 °C 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.11
page 6
2006-07-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB050N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB050N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB051NE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB050N06LG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB050N06N G | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB050N06NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB050N06NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| IPB051NE8N G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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