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参数资料
| 型号： | IPB050N06L |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | IPB050N06L |
IPP050N06N G IPB050N06N G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=100 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
12V
30 V
48 V
0
2
4
6
8
10
12
0
40
80
120
160
Q
gate
[nC]
V
G
50
55
60
65
70
75
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
10
3
10
2
10
1
10
0
10
3
10
2
10
1
10
0
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.11
page 7
2006-07-06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB050N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB050N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB051NE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB050N06LG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB050N06N G | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB050N06NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB050N06NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 |
| IPB051NE8N G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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