- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录383110 > IPB051NE8NG (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS㈢2 Power-Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IPB051NE8NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | IPB051NE8NG |
IPB051NE8N G IPI05CNE8N G
IPP054NE8N G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
10 V
0
3
6
9
12
15
0
50
100
150
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
V
GS
[V]
I
D
0
40
80
120
160
200
0
50
100
150
I
D
[A]
g
f
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
80
160
240
320
400
0
1
2
3
4
5
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.04
page 5
2006-02-17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPI05CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05N03LB | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB051NE8NG_10 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level 175 °C operating temperature |
| IPB051NE8NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB052N04N G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB052N04NG | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB052N04NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。