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参数资料
| 型号： | IPB051NE8NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | IPB051NE8NG |
IPB051NE8N G IPI05CNE8N G
IPP054NE8N G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=100 A pulsed
parameter:
T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
20 V
40 V
60 V
0
2
4
6
8
10
12
0
50
100
150
Q
gate
[nC]
V
G
75
80
85
90
95
100
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.04
page 7
2006-02-17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPI05CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI05CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB05N03LB | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB051NE8NG_10 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level 175 °C operating temperature |
| IPB051NE8NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB052N04N G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB052N04NG | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| IPB052N04NGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 |
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