型号: | IPB26CNE8NG |
厂商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
中文描述: | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
文件页数: | 11/13页 |
文件大小: | 658K |
代理商: | IPB26CNE8NG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IPB30 | 制造商:Omron Corporation 功能描述: |
IPB320N20N3 G | 功能描述:MOSFET N-channel POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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IPB320N20N3G_10 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power Transistor |
IPB320N20N3GATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3 |