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参数资料
| 型号： | IPB26CNE8NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 658K |
| 代理商： | IPB26CNE8NG |
IPB26CNE8N G IPD25CNE8N G
IPI26CNE8N G IPP26CNE8N G IPU25CNE8N G
PG-TO251-3: Outline
Rev. 1.0
page 12
2006-02-17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD25CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI26CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB30 | 制造商:Omron Corporation 功能描述: |
| IPB320N20N3 G | 功能描述:MOSFET N-channel POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB320N20N3G | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 200V 34A OptiMOS3 TO263 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB320N20N3G_10 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power Transistor |
| IPB320N20N3GATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3 |
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