收藏本站
参数资料
型号： IPB26CNE8NG
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数： 5/13页
文件大小： 658K
代理商： IPB26CNE8NG
IPB26CNE8N G IPD25CNE8N G
IPI26CNE8N G IPP26CNE8N G IPU25CNE8N G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
V
GS
[V]
I
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
I
D
[A]
g
f
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
DS
[V]
I
D
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
70
I
D
[A]
R
D
]
Rev. 1.0
page 5
2006-02-17
相关PDF资料
PDF描述
IPD25CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB50CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD49CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI50CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
IPB30 制造商:Omron Corporation 功能描述:
IPB320N20N3 G 功能描述:MOSFET N-channel POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB320N20N3G 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 200V 34A OptiMOS3 TO263 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB320N20N3G_10 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power Transistor
IPB320N20N3GATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*