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参数资料
型号： IPB80N06S3L-08
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶体管
文件页数： 5/8页
文件大小： 164K
代理商： IPB80N06S3L-08
IPB80N06S3L-08
IPI80N06S3L-08, IPP80N06S3L-08
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= f(
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 4 V
R
DS(on)
= f(
T
j
);
I
D
= 80 A;
V
GS
= 10 V
parameter:
T
j
3
5
7
9
11
13
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
5 V
6 V
8 V
10 V
4
6
8
10
12
14
16
0
50
100
150
I
D
[A]
R
D
]
-55 °C
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
[V]
I
D
3 V
3.5 V
4 V
4.5 V
5 V
10 V
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.0
page 5
2005-09-16
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PDF描述
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