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参数资料
型号： IPB80N08S2-07
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢功率晶体管
文件页数： 5/8页
文件大小： 170K
代理商： IPB80N08S2-07
IPB80N08S2-07
IPP80N08S2-07, IPI80N08S2-07
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= (
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. Forward transconductance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 6V
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
= 25°C
parameter:
T
j
parameter:
g
fs
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
7 V
10 V
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
10
V
DS
[V]
I
D
6.5 V
10 V
5
10
15
20
25
30
35
40
0
20
40
60
80
100
120
I
D
[A]
R
D
-55 °C
5
25 °C
175 °C
0
40
80
120
160
200
240
280
320
2
3
4
6
7
8
V
GS
[V]
I
D
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
I
D
[A]
150
200
g
f
Rev. 1.0
page 5
2006-03-03
相关PDF资料
PDF描述
IPB80N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
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IPD03N03LBG OptiMOS 2 Power-Transistor
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