收藏本站
参数资料
型号： IPI25N06S3L-22
厂商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶体管
文件页数： 5/8页
文件大小： 165K
代理商： IPI25N06S3L-22
IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L-22, IPP25N06S3L-22
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= f(
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 4 V
R
DS(on)
= f(
T
j
);
I
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V
parameter:
T
j
10
15
20
25
30
35
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
8V
10V
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
10
20
30
40
50
I
D
[A]
R
D
]
4.5 V
5 V
5.5 V
6 V
6.5 V
7 V
8 V
10 V
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
V
DS
[V]
I
D
-55 °C
25 °C
175 °C
0
10
20
30
40
50
60
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
[V]
I
D
Rev. 1.0
page 5
2005-09-16
相关PDF资料
PDF描述
IPB26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD25CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI26CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB26CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD25CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相关代理商/技术参数
参数描述
IPI25N06S3L22XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI26CN10N G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPI26CN10NG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
IPI26CN10NGHKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IPI26CNE8N G 功能描述:MOSFET N-CH 85V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*