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参数资料
| 型号： | IPI25N06S3L-22 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| 中文描述： | ㈢的OptiMOS - T的功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | IPI25N06S3L-22 |
IPB25N06S3L-22
IPI25N06S3L-22, IPP25N06S3L-22
9 Typ. gate threshold voltage
10 Typ. capacitances
V
GS(th)
= f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
C
= f(
V
DS
);
V
GS
= 0 V;
f
= 1 MHz
parameter:
I
D
11 Typical forward diode characteristicis
12 Typ. avalanche characteristics
IF = f(V
SD
)
I
AV
= f(
t
AV
)
parameter:
T
j
parameter: T
j(start)
25°C
100°C
150°C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
25 °C
175 °C
10
2
10
1
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
[V]
I
F
Ciss
Coss
Crss
10
4
10
3
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
20μA
200μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Rev. 1.0
page 6
2005-09-16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD25CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI26CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB26CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD25CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPI25N06S3L22XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI26CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI26CN10NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| IPI26CN10NGHKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| IPI26CNE8N G | 功能描述:MOSFET N-CH 85V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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