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参数资料
| 型号： | IPI50CN10NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 708K |
| 代理商： | IPI50CN10NG |
IPB50CN10N G IPD49CN10N G
IPI50CN10N G IPP50CN10N G IPU49CN10N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
822
1090
pF
Output capacitance
C
oss
-
120
160
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
10
15
Turn-on delay time
t
d(on)
-
10
15
ns
Rise time
t
r
-
4
6
Turn-off delay time
t
d(off)
-
14
20
Fall time
t
f
-
3
4
Gate Charge Characteristics
5)
Gate to source charge
Q
gs
-
5
6
nC
Gate to drain charge
Q
gd
-
3
4
Switching charge
Q
sw
-
5
7
Gate charge total
Q
g
-
12
16
Gate plateau voltage
V
plateau
-
5.7
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
-
12
17
nC
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
20
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
80
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=20 A,
T
j
=25 °C
-
1
1.2
V
Reverse recovery time
t
rr
-
100
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
140
-
nC
5)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=50 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
=1 MHz
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=20 A,
R
G
=1.6
V
DD
=50 V,
I
D
=20 A,
V
GS
=0 to 10 V
Rev. 1.01
page 3
2006-06-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB80N04S2L-03 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N06S3L-06 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80N06S3L-08 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80N08S2-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N08S2L-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPI50CN10NGHKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3 |
| IPI50N10S3L-16 | 功能描述:MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI50N10S3L16AKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 |
| IPI50R140CP | 功能描述:MOSFET CoolMOS PWR Trnsistr 23/15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI50R140CPXKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube |
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