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参数资料
| 型号： | IPI50CN10NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 708K |
| 代理商： | IPI50CN10NG |
IPB50CN10N G IPD49CN10N G
IPI50CN10N G IPP50CN10N G IPU49CN10N G
PG-TO-263 (D2-Pak)
Rev. 1.01
page 9
2006-06-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IPI50N10S3L-16 | 功能描述:MOSFET OptiMOS-T PWR TRANS 100V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI50N10S3L16AKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 |
| IPI50R140CP | 功能描述:MOSFET CoolMOS PWR Trnsistr 23/15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPI50R140CPXKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Rail/Tube |
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